FIB
Bildetekst: Med FIB er det meste mulig å gjøre på en veldig liten skala, også å lage en snømann.
FIB er en forkortelse for Focused Ion Beam og kombinerer egenskaper lignende til SEM med et presisjonsbearbeidingsverktøy. Det var utviklet først med tanke for bruk innen semikonduktor (innenfor solceller), men har vist seg å ha flere bruksområder. FIB bruker ioner istedenfor elektroner for å penetrere materialer. På grunn av at ioner har kortere bølgelengde enn elektroner blir det høyere oppløsning og på grunn av høyere vekt kan ioner penetrere hardere materialer. FIB fungerer ved at systemet produserer og leder en strøm av ioner med høy energi av et ganske tungt element i det periodiske systemet. De tunge ionene kan på grunn av sin relative høye masse få overflateatomene ut fra sin posisjon og skaper derfor sekundærelektroner som blir avbildet. I dagens FIB er det mest vanlig å bruke Galium og bruke deres Ga+ ioner. På grunn av den store størrelsen på ionene har FIB store fordeler i forhold til andre mikroskoper. FIB kan faktisk lage nesten alle typer mikrostrukturer og kan isolere små regioner på prøven og bare lage modifikasjoner der uten å påvirke resten av prøven. På den andre siden har FIB noen ulemper, og kan lage uønsket skade på prøven. Derfor kombineres ofte FIB med SEM for å utnytte egenskapene til de to ulike systemene. \cite{FIB}